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      位置:51電子網 » 技術資料 » 家用電器

      轉向90納米制造工藝支撐大型數據中心的高速信息傳輸

      發布時間:2022/5/3 19:40:41 訪問次數:62

      硅光芯片用光子代替電子進行信息傳輸,可承載更多信息和傳輸更遠距離,具備高計算密度與低能耗的優勢。隨著云計算與人工智能的大爆發,硅光芯片迎來技術快速迭代與產業鏈高速發展。硅光芯片將承載絕大部分大型數據中心內的高速信息傳輸。

      當前,硅基半導體已經推進到5nm和3nm,IBM今年也宣布了突破2nm的PPT工藝。

      硅光芯片將支撐大型數據中心的高速信息傳輸,以硅光芯片為基礎的光計算將逐步取代電子芯片的部分計算場景。

      AWM手冊中導線識別號、符號說明導線識別號,導線識別號由一組8位數字組成。

      一般來說,在線路圖中會只給出導線編號。一個完章節號導線編號整的導線識別號應再加上備注中所給的章節號。      

      CF24中,CF表示導線型號,24表示導線規格(單位為AWG-Americam Wircauge);

      2M表示導線走向。導線走向表示飛機導線在飛機上布線時所在規定通道的編號,空客公司對飛機導線的排布做了規定。每個通道編號的含義在ASM、AWM手冊的Introduction中有詳細介紹。


      128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產轉向90納米制造工藝,這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗,這些設備包括數碼相機、語音筆、PDA、機頂盒(STB)、打印機和捆綁式閃存卡。

      NAND128是一個采用90nm制造工藝的128-Mbit NAND閃存。

      另兩款產品256-Mbit和512-Mbit的NAND閃存(均有3V和1.8V兩個版本)也將在今后幾個月內過渡到90納米制造工藝。




      硅光芯片用光子代替電子進行信息傳輸,可承載更多信息和傳輸更遠距離,具備高計算密度與低能耗的優勢。隨著云計算與人工智能的大爆發,硅光芯片迎來技術快速迭代與產業鏈高速發展。硅光芯片將承載絕大部分大型數據中心內的高速信息傳輸。

      當前,硅基半導體已經推進到5nm和3nm,IBM今年也宣布了突破2nm的PPT工藝。

      硅光芯片將支撐大型數據中心的高速信息傳輸,以硅光芯片為基礎的光計算將逐步取代電子芯片的部分計算場景。

      AWM手冊中導線識別號、符號說明導線識別號,導線識別號由一組8位數字組成。

      一般來說,在線路圖中會只給出導線編號。一個完章節號導線編號整的導線識別號應再加上備注中所給的章節號。      

      CF24中,CF表示導線型號,24表示導線規格(單位為AWG-Americam Wircauge);

      2M表示導線走向。導線走向表示飛機導線在飛機上布線時所在規定通道的編號,空客公司對飛機導線的排布做了規定。每個通道編號的含義在ASM、AWM手冊的Introduction中有詳細介紹。


      128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產轉向90納米制造工藝,這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗,這些設備包括數碼相機、語音筆、PDA、機頂盒(STB)、打印機和捆綁式閃存卡。

      NAND128是一個采用90nm制造工藝的128-Mbit NAND閃存。

      另兩款產品256-Mbit和512-Mbit的NAND閃存(均有3V和1.8V兩個版本)也將在今后幾個月內過渡到90納米制造工藝。




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